Моделирование 3D-наносхемотехники. — 4-е изд. (эл.)
Н. К. Трубочкина

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».

УДК:
681.3
ББК:
32.844
Год издания:
2024
Количество страниц:
526
Эта книга когда-то была в библиотеке, но теперь к ней доступа нет! Скорее всего, данная книга была заменена на более новое издание. Попробуйте воспользоваться поиском. Если же замена не найдена, сообщите в библиотеку, пожалуйста!
Если Вы считаете нужным сообщить об опечатке, ошибке или о другой проблеме, Вы можете это сделать.