Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Таперо К. И., Улимов В. Н., Членов А. М.

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.

Издательство:

Лаборатория знаний

Год издания:

2021

Количество страниц:

307

ISBN:

978-5-00101-109-5

Полный текст книги доступен студентам и сотрудникам МФТИ через Личный кабинет https://profile.mipt.ru/services/.

После авторизации пройдите по ссылке «Books.mipt.ru Электронная библиотека МФТИ»