Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Таперо К. И., Улимов В. Н., Членов А. М.
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
- Издательство:
- Лаборатория знаний
- Год издания:
- 2021
- Количество страниц:
- 307
- ISBN:
- 978-5-00101-109-5
Эта книга когда-то была в библиотеке, но теперь к ней доступа нет!
Скорее всего, данная книга была заменена на более новое издание.
Попробуйте воспользоваться поиском.
Если же замена не найдена, сообщите в библиотеку, пожалуйста!
Если Вы считаете нужным сообщить об опечатке, ошибке или о другой проблеме, Вы можете это сделать.